1、进行MOSFET, IGBT, FRD等功率半导体的器件及工艺仿真, 版图设计；

2、具有器件产品量产的开发经验；

3、了解器件封装，测试，指定器件特性分析的方案计划，进行失效分析；

4、掌握器件可靠性评估的方案与评判，根据客户需求完成器件可靠性设计；

5、了解行业技术发展趋势，完成竞品分析和器件开发可行性评价。



任职要求：

1、本科及以上学历，功率半导体相关专业，3年以上相关工作经验，有碳化硅经验优先。

2、熟悉MOSFET，IGBT, FRD等功率半导体的产品开发流程；

3、具有Wafer Fab实际经验和MOSFET，IGBT, FRD等功率半导体产品的实际开发/生产经验；

4、熟悉版图设计(Layout Design)和器件仿真(TCAD Simulation)更佳；

5、具有主动沟通能力及团队协作能力。